Notice: session_start(): ps_files_cleanup_dir: opendir(/tmp) failed: Permission denied (13) in /home/c/ck59960/public_html/common.php on line 4

Warning: session_start(): Session cache limiter cannot be sent after headers have already been sent (output started at /home/c/ck59960/public_html/common.php:4) in /home/c/ck59960/public_html/common.php on line 4
Транзистор SI4462DY полевой MOSFET, его характеристики

Справочник электронных компонентов

Транзистор SI4462DY

SI4462DY - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: SO-8

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.3 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.15 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.48 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 12 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор SI4462DY можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
KI4464DY	SMD	N	1.5	200	20	4	1.7	0.24	12	12	-	150	SOP-8
PHK4NQ20T	SMD	N	6.25	200	20	4	4	0.13	26	10	155	150	SOT-96-1
SI4464DY	SMD	N	1.5	200	20	4	1.7	0.24	-	12	-	150	SO-8
SI7302DN	SMD	N	3.8	220	20	4	2.3	0.32	-	10	72	150	PowerPAK1212-8
SI7464DP	SMD	N	1.8	200	20	4	1.8	0.24	-	12	-	150	PowerPAKSO-8
SI7820DN	SMD	N	1.5	200	20	4	1.7	0.24	-	12	-	150	PowerPAK1212-8