Транзистор SI4686DY
SI4686DY - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 13.8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0095 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 20 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 230 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI4686DY можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM7442N |
SMD |
N |
5 |
40 |
20 |
3 |
20 |
0.009 |
25 |
6 |
230 |
150 |
SOIC-8PP |
| AP0903GYT-HF |
SMD |
N |
3.5 |
30 |
20 |
3 |
16 |
0.009 |
- |
7 |
215 |
150 |
PMPAK3X3 |
| AP0904GMT |
SMD |
N |
5 |
40 |
20 |
3 |
17.5 |
0.0095 |
- |
6.5 |
160 |
150 |
PMPAK5X6 |
| SI7686DP |
SMD |
N |
5 |
30 |
20 |
3 |
17.9 |
0.0095 |
- |
20 |
230 |
150 |
PowerPAKSO-8 |