Транзистор SI4830CDY
SI4830CDY - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 7.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.02 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 11 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 155 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI4830CDY можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP1203GM |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
3 |
11.2 |
0.012 |
- |
7.5 |
130 |
150 |
SO-8 |
| AP3N018EYT |
SMD |
N |
3.12 |
30 |
20 |
3 |
10.3 |
0.018 |
- |
8 |
95 |
150 |
PMPAK3X3 |
| AP4410AGM-HF |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
3 |
10 |
0.0135 |
- |
7 |
155 |
150 |
SO-8 |
| AP4438GYT-HF |
SMD |
N |
3.57 |
30 |
20 |
3 |
13.7 |
0.012 |
- |
5 |
125 |
150 |
PMPAK3X3 |
| AP4800AGM |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
25 |
3 |
9.6 |
0.018 |
- |
7 |
155 |
150 |
SO-8 |
| MMN4418 |
SMD |
N |
3 |
30 |
25 |
3 |
11.5 |
0.017 |
6.75 |
3.44 |
125.41 |
150 |
SO-8 |
| SIA432DJ |
SMD |
N |
3.5 |
30 |
20 |
3 |
10.1 |
0.02 |
13 |
11 |
115 |
150 |
SC-70-6L |
| SK840318L |
SMD |
N |
19 |
30 |
20 |
3 |
12 |
0.0071 |
10 |
6 |
140 |
150 |
HSSO8-F1-B |
| SK860318L |
SMD |
N |
2.4 |
30 |
20 |
3 |
15 |
0.0071 |
9.2 |
6 |
140 |
150 |
HSO8-F4-B |
| STN4822 |
SMD |
N |
2 |
30 |
20 |
3 |
8.5 |
0.017 |
15 |
6 |
145 |
150 |
SOP-8 |