Справочник электронных компонентов

Транзистор SI6459BDQ

SI6459BDQ - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Основные характеристики:

Транзистор SI6459BDQ можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AO4421 SMD P 3.1 60 20 3 6.2 0.04 - 6.1 179 150 SO-8
AO4441 SMD P 3.1 60 20 3 4 0.1 - 3.8 85 150 SO-8
AP9575GM-HF SMD P 2.5 60 25 3 4 0.09 - 5 115 150 SO-8
AP9576GM SMD P 2.5 60 25 3 4 0.09 - 5 120 150 SO-8
AP9576GM-HF SMD P 2.5 60 25 3 4 0.09 - 5 120 150 SO-8
CHM6601JGP SMD P 2.5 60 20 3 4.3 0.086 18.8 6 110 150 SO-8
CHM6607JGP SMD P 2 60 20 3 3.8 0.086 19 7 115 150 SO-8
CHM9407AJGP SMD P 2.5 60 20 3 3.7 0.108 21 9 170 150 SO-8
FDFS2P106A SMD P 2 60 20 3 3 0.11 - 11 84 150 SO-8
NVGS5120P SMD P 1.1 60 20 3 2.5 0.111 18.1 4.9 72 150 TSOP-6
SI3127DV SMD P 2 60 20 3 3.5 0.089 - 6 88 150 TSOP-6
SI7415DN SMD P 1.5 60 20 3 3.6 0.065 - 12 - 150 PowerPAK1212-8
SI7465DP SMD P 1.5 60 20 3 3.2 0.064 - 9 - 150 PowerPAKSO-8
SQ7415EN SMD P 1.5 60 20 3 3.6 0.065 15 12 - 175 PowerPAK1212-8
SSM9575M SMD P 2.5 60 25 3 4 0.09 18 5 165 150 SO-8