Транзистор SI7888DP
SI7888DP - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PowerPAKSO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.8 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 9.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.012 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 11 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI7888DP можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AFN3309WS |
SMD |
N |
2 |
30 |
20 |
2 |
35 |
0.008 |
8 |
10 |
210 |
150 |
DFN3X3-8L |
| AFN4048WS |
SMD |
N |
2.8 |
30 |
20 |
2 |
15 |
0.008 |
15 |
10 |
300 |
150 |
SOP-8P |
| AFN4172S |
SMD |
N |
2.8 |
30 |
20 |
2 |
15 |
0.012 |
10 |
10 |
200 |
150 |
SOP-8P |
| AFN4172WS |
SMD |
N |
2.8 |
30 |
20 |
2 |
15 |
0.012 |
10 |
10 |
200 |
150 |
SOP-8P |
| AFN7424S |
SMD |
N |
3.8 |
30 |
20 |
2 |
20 |
0.005 |
15 |
10 |
350 |
150 |
DFN3.3X3.3-8L |
| AFN7472S |
SMD |
N |
3.8 |
30 |
20 |
2 |
15 |
0.0086 |
10 |
10 |
190 |
150 |
DFN3.3X3.3-8L |
| AO4720 |
SMD |
N |
3.1 |
30 |
20 |
2 |
13 |
0.011 |
- |
3.8 |
308 |
150 |
SO-8 |
| AP9468GM |
SMD |
N |
2.5 |
40 |
20 |
2 |
14.6 |
0.007 |
32 |
7 |
365 |
150 |
SO-8 |
| AP9468GM-HF |
SMD |
N |
2.5 |
40 |
20 |
2 |
14.6 |
0.007 |
- |
7 |
365 |
150 |
SO-8 |
| CSD17527Q5A |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
2 |
13 |
0.0108 |
2.8 |
8.2 |
286 |
150 |
SON5X6 |
| CSD17579Q5A |
SMD |
N |
3.1 |
30 |
20 |
2 |
14 |
0.0097 |
5.4 |
7 |
95 |
150 |
SON5X6 |