Справочник электронных компонентов

Транзистор SI8475EDB

SI8475EDB - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Основные характеристики:

Транзистор SI8475EDB можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AP4413GM SMD P 2.5 20 20 1.5 7.8 0.03 - 11 250 150 SO-8
AP4413GM-HF SMD P 2.5 20 20 1.5 7.8 0.03 - 11 250 150 SO-8
FDC699P SMD P 2 20 12 1.5 7 0.022 - 11 560 150 SuperSOT-6
FDMA520PZ SMD P 2.4 20 12 1.5 7.3 0.03 14 - - 150 MicroFET2X2
FDR840P SMD P 1.8 20 12 1.5 10 0.012 - 15 1532 150 SuperSOT-8
FDS6576 SMD P 2.5 20 12 1.5 11 0.014 43 - - 150 SO-8
FDW252P SMD P 1.3 20 12 1.5 8.8 0.0125 - 14 1035 150 TSSOP-8
FDW264P SMD P 1.3 20 12 1.5 9.7 0.01 135 17 1030 150 TSSOP-8
KSO200P03S SMD P 1.56 30 25 1.5 7.4 0.02 40 11 470 150 SOP-8
PPM6N20V10 SMD P 2.4 20 12 1.5 10 0.017 37 40 1100 150 DFN2X2-6L
SI3407DV SMD P 2 20 12 1.5 7.5 0.024 - 11 335 150 TSOP-6
SI5485DU SMD P 3.1 20 12 1.5 8.8 0.025 - 50 300 150 PowerPAK
SI7409ADN SMD P 1.5 30 12 1.5 7 0.019 - 50 - 150 PowerPAK1212-8
SIA449DJ SMD P 3.5 30 12 1.5 10.4 0.02 48 10 168 150 SC-70-6L