Транзистор SIHFD214
SIHFD214 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: HVMDIP
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 250 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.45 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 8.2 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 7.6 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 42 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SIHFD214 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IRFD214PBF |
PTH |
N |
1 |
250 |
20 |
4 |
0.45 |
2 |
8.2 |
7.6 |
42 |
150 |
DIP-4 |
| SIHFL214 |
SMD |
N |
3.1 |
250 |
20 |
4 |
0.79 |
2 |
8.2 |
7.6 |
42 |
150 |
SOT-223 |