Справочник электронных компонентов

Транзистор SIHFI9540G

SIHFI9540G - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220FP

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 48 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 11 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.2 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 61 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 110 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 590 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор SIHFI9540G можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
FQB15P12TM	SMD	P	100	120	30	4	15	0.2	29	100	310	175	D2PAK
FQI15P12TU	PTH	P	100	120	30	4	15	0.2	29	100	310	175	I2PAK
IRF9530NPBF	PTH	P	79	100	20	4	14	0.2	58	58	260	175	TO-220AB
IRF9530NSPBF	SMD	P	79	100	20	4	14	0.2	58	58	260	175	TO-263
IRF9540PBF	PTH	P	150	100	20	4	19	0.2	61	73	590	175	TO-220AB
IRF9540S	SMD	P	150	100	20	4	19	0.2	61	73	590	175	TO-263
IRF9540SPBF	SMD	P	150	100	20	4	19	0.2	61	73	590	175	TO-263
SIHF9540	PTH	P	150	100	20	4	19	0.2	61	73	590	175	TO-220AB
SIHF9540S	SMD	P	150	100	20	4	19	0.2	61	73	590	175	TO-263
SIHFP9140	PTH	P	180	100	20	4	21	0.2	61	73	590	175	TO-247AC