Транзистор SMN01L20Q
SMN01L20Q - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-223
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.85 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.35 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 85 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 38 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SMN01L20Q можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQT4N20LTF |
SMD |
N |
2.2 |
200 |
20 |
2 |
0.85 |
1.35 |
4 |
70 |
36 |
150 |
SOT-223 |
| KF4N20LW |
SMD |
N |
2.2 |
200 |
20 |
- |
1 |
0.89 |
- |
20 |
25 |
150 |
SOT-223 |
| MTE1K8N25KM3 |
SMD |
N |
2 |
250 |
20 |
- |
1 |
1.33 |
- |
11 |
16 |
150 |
SOT-89 |
| RCD040N25 |
SMD |
N |
20 |
250 |
30 |
- |
4 |
0.78 |
- |
15 |
30 |
150 |
CPT3 |
| RCD040N25TL |
SMD |
N |
20 |
250 |
30 |
5.5 |
4 |
1 |
9 |
15 |
30 |
150 |
SC-63 |
| RCD041N25 |
SMD |
N |
20 |
250 |
30 |
5.5 |
4 |
1.3 |
8.5 |
14 |
30 |
150 |
SC-63 |
| RCD050N20 |
SMD |
N |
20 |
200 |
30 |
- |
5 |
0.47 |
- |
15 |
30 |
150 |
CPT3 |
| RCD051N20 |
SMD |
N |
20 |
200 |
30 |
5.25 |
5 |
0.76 |
8.3 |
15 |
33 |
150 |
SC-63 |
| RND030N20 |
SMD |
N |
20 |
200 |
30 |
5.2 |
3 |
0.87 |
6.7 |
13 |
30 |
150 |
SC-63 |