Справочник электронных компонентов

Транзистор SPD02N50C3

SPD02N50C3 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор SPD02N50C3 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AOB7S60 SMD N 104 600 30 3.9 7 0.6 - 13 28 150 TO-263
AOD7S60 SMD N 83 600 30 3.9 7 0.6 - 13 28 150 TO-252
AOT7S60 PTH N 104 600 30 3.9 7 0.6 - 13 28 150 TO-220
AOT7S60L PTH N 104 600 30 3.9 7 0.6 - 13 28 150 TO-220
AOTF7S60 PTH N 34 600 30 3.9 7 0.6 - 13 28 150 TO-220F
AOTF7S60L PTH N 34 600 30 3.9 7 0.6 - 13 28 150 TO-220F
AOU7S60 PTH N 83 600 30 3.9 7 0.6 - 13 28 150 TO-251
AOW7S60 PTH N 104 600 30 3.9 7 0.6 - 13 28 150 TO-262
AOWF7S60 PTH N 25 600 30 3.9 7 0.6 - 13 28 150 TO-262F
CS4J60A3-G PTH N 62 600 30 3.9 4 2 11.2 24 181 150 TO-251
CS4J60B3-G PTH N 45 600 30 3.9 4 2.5 11.2 25 128 150 TO-251
IPA80R1K0CE PTH N 32 800 20 3.9 5.7 0.95 - 15 33 150 TO-220F
IPA80R1K4CE PTH N 31 800 20 3.9 3.9 1.4 - 15 25 150 TO-220F
IPA80R650CE PTH N 33 800 20 3.9 8 0.65 - 15 46 150 TO-220F
IPD80R1K0CE SMD N 83 800 20 3.9 5.7 0.95 - 15 33 150 TO-252
IPD80R1K4CE SMD N 63 800 20 3.9 3.9 1.4 - 15 25 150 TO-252
IPD80R2K8CE SMD N 42 800 20 3.9 1.9 2.8 - 15 13 150 TO-252
IPU80R1K0CE PTH N 83 800 20 3.9 5.7 0.95 - 15 33 150 TO-251
IPU80R1K4CE PTH N 63 800 20 3.9 3.9 1.4 - 15 25 150 TO-251
IPU80R2K8CE PTH N 42 800 20 3.9 1.9 2.8 - 15 13 150 TO-251
SPD04N60C3 SMD N 50 600 20 3.9 4.5 0.85 19 - - 150 DPAK
SPI08N80C3 PTH N 104 800 20 3.9 8 0.65 45 - - 150 I2PAK
SPS02N60C3 PTH N 25 600 20 3.9 1.8 3 - - - 150 IPAK-SL
SPS03N60C3 PTH N 38 600 20 3.9 3.2 1.4 - - - 150 IPAK-SL
SRM4N60D1 PTH N 52 600 30 3.9 4 2.41 - - 68 150 TO-251
SRM4N60DTR SMD N 52 600 30 3.9 4 2.41 - - 68 150 TO-252
SRM4N65D1 PTH N 52 650 30 3.9 4 2.47 - - 65 150 TO-251
SRM4N65DTR SMD N 52 650 30 3.9 4 2.47 - - 65 150 TO-252
SRM6N70 PTH N 50 700 30 3.9 6 1.67 - - 87.5 150 TO-251
SRM7N60 PTH N 27 600 30 3.9 7 1.09 - - 117 150 TO-220F
SRM7N65 PTH N 27 650 30 3.9 7 1.22 - - 112 150 TO-220F