Notice: session_start(): ps_files_cleanup_dir: opendir(/tmp) failed: Permission denied (13) in /home/c/ck59960/public_html/common.php on line 4

Warning: session_start(): Session cache limiter cannot be sent after headers have already been sent (output started at /home/c/ck59960/public_html/common.php:4) in /home/c/ck59960/public_html/common.php on line 4
Транзистор SSD12P10 полевой MOSFET, его характеристики

Справочник электронных компонентов

Транзистор SSD12P10

SSD12P10 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-252

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 35.7 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 10 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.21 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 14 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 110 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор SSD12P10 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AP18P10GH	SMD	P	35.7	100	20	3	12	0.18	-	14	110	150	TO-252
AP18P10GH-HF	SMD	P	35.7	100	20	3	12	0.18	-	14	110	150	TO-252
AP18P10GJ	PTH	P	35.7	100	20	3	12	0.18	-	14	110	150	TO-251
AP18P10GJ-HF	PTH	P	35.7	100	20	3	12	0.18	-	14	110	150	TO-251
AP18P10GS	SMD	P	35.7	100	20	3	12	0.16	-	14	110	150	TO-263
MTP2010J3	SMD	P	50	100	20	-	20	0.086	-	5	91	175	TO-252
PA610DD	SMD	P	36	100	30	-	10	0.2	-	10	100	150	TO-252
SM1A16PSU	SMD	P	50	100	20	-	13	0.205	-	10	70	150	TO-252
SM1A16PSUB	PTH	P	50	100	20	-	13	0.205	-	10	70	150	TO-251
SM1A27PSU	SMD	P	50	100	30	-	11	0.205	-	4	60	150	TO-252
SM1A27PSUB	PTH	P	50	100	30	-	11	0.19	-	4	60	150	TO-251
SUM25P10-138	SMD	P	88.2	100	20	4	16.7	0.138	40	12	105	175	TO-263
SUP25P10-138	PTH	P	73.5	100	20	4	16.3	0.138	40	12	105	150	TO-220AB