Справочник электронных компонентов

Транзистор SSG4842N

SSG4842N - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор SSG4842N можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AM7446NA SMD N 5 40 20 1 25 0.0055 32 13 289 150 DFN5X6-8L
AO4240 SMD N 3.1 40 20 2.3 24 0.0033 - 11.5 1170 150 SO-8
AP0504GMT SMD N 5 40 20 3 23.6 0.0055 - 7 340 150 PMPAK5X6
AP3R604GMT-L SMD N 5 40 20 3 29 0.0036 - 8 615 150 PMPAK5X6
CSD18502Q5B SMD N 3.2 40 20 2.2 26 0.0023 25 6.8 900 150 SON5X6
CSD18532Q5B SMD N 3.2 60 20 2.2 23 0.0032 44 7.2 470 150 SON5X6
CSD18540Q5B SMD N 3.1 60 20 2.3 28 0.0022 20 9 622 150 SON5X6
PK6A6BA SMD N 31 40 20 - 42 0.008 - 11 206 150 PDFN5X6P
RJK0703DPP-E0 PTH N 25 75 20 - 70 0.0067 56 10 830 150 TO-220FP
RJK1002DPP-E0 PTH N 30 100 20 - 70 0.0076 94 13 1000 150 TO-220FP
SI7156DP SMD N 5.4 40 20 3 29 0.0035 - 10 605 150 PowerPAKSO-8
SI7164DP SMD N 6.25 60 20 4.5 23.5 0.00625 - 8 425 150 PowerPAKSO-8
SIR414DP SMD N 5.4 40 20 2.5 33 0.0028 78 9 610 150 SO-8
SIR470DP SMD N 6.25 40 20 2.5 38.8 0.0023 102 11 720 150 SO-8
SIR640ADP SMD N 6.25 40 20 2 41.6 0.002 60 6 3930 150 SO-8
SIR642DP SMD N 5.4 40 20 2.3 35.4 0.0024 56 11 3125 150 SO-8
SIR662DP SMD N 6.25 60 20 2.5 35.8 0.0027 63.5 11 3270 150 SO-8
SIR826ADP SMD N 6.25 80 20 2.8 23.8 0.0055 57 12 1100 150 SO-8
SIR826DP SMD N 6.25 80 20 2.8 25 0.0048 60 11 1870 150 SO-8
SIR870DP SMD N 6.25 100 20 3 22.8 0.006 55.7 10 1475 150 SO-8
SIR880DP SMD N 6.25 80 20 2.8 23 0.0059 49 10 1525 150 SO-8