Справочник электронных компонентов

Транзистор SSS4N80AS

SSS4N80AS - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220F

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 40 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.8 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 3 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 40 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 880 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор SSS4N80AS можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
BFC46	PTH	N	180	800	-	-	5.5	2.5	38	-	790	150	TO-247
BFC62	PTH	N	125	800	-	-	4.7	2.4	38	-	790	150	TO-220
MMD80R900PRH	SMD	N	75.8	800	30	4	6	0.9	17.6	22.4	508	150	TO-252
R8005ANX	PTH	N	40	800	30	5	5	2.08	21	17	250	150	TO-220FM
R8008ANX	PTH	N	50	800	30	5	8	0.79	39	50	480	150	TO-220FM
SM8A03NSW	PTH	N	138	800	30	4.5	8	0.78	27.5	28	380	150	TO-247
SSF4N80AS	PTH	N	85	800	-	-	3.5	3	40	-	880	150	TO-3PF
SSH4N80AS	PTH	N	140	800	-	-	4.5	3	40	-	880	150	TO-3P
SSI4N80AS	PTH	N	130	800	-	-	4.5	3	40	-	880	150	I2PAK
SSP4N80AS	PTH	N	130	800	-	-	4.5	3	40	-	880	150	TO-220
SSW4N80AS	SMD	N	130	800	-	-	4.5	3	40	-	880	150	TO-263