Транзистор SSW4N60A
SSW4N60A - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 100 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 25 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 545 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SSW4N60A можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AFN10N60T220T |
PTH |
N |
150 |
600 |
30 |
4 |
10 |
1 |
19.38 |
60.4 |
135 |
150 |
TO-220 |
| AFN10N65T220T |
PTH |
N |
156 |
650 |
30 |
4 |
10 |
1 |
20 |
73.67 |
128.8 |
150 |
TO-220 |
| AFN12N60T220T |
PTH |
N |
225 |
600 |
30 |
4 |
12 |
0.75 |
24.35 |
71.67 |
413 |
150 |
TO-220 |
| AFN12N65T220T |
PTH |
N |
225 |
650 |
30 |
4 |
12 |
0.8 |
24.15 |
61.67 |
155 |
150 |
TO-220 |
| AM12N65P |
PTH |
N |
300 |
650 |
20 |
1 |
12 |
0.8 |
23 |
10 |
165 |
175 |
TO-220AB |
| AM9N65P |
PTH |
N |
150 |
650 |
20 |
1 |
9 |
1.7 |
13.8 |
6 |
123 |
175 |
TO-220AB |
| CDM22010-650 |
PTH |
N |
156 |
650 |
30 |
4 |
10 |
1 |
20 |
33 |
129 |
150 |
TO-220 |
| SRC7N65TC |
PTH |
N |
104.2 |
700 |
30 |
4.5 |
7 |
0.572 |
18.9 |
13.1 |
474 |
150 |
TO-220C |
| SSI4N60A |
PTH |
N |
100 |
600 |
- |
- |
4 |
2.5 |
25 |
- |
545 |
150 |
I2PAK |
| SSP4N60AS |
PTH |
N |
100 |
600 |
- |
- |
4 |
2.5 |
25 |
- |
545 |
150 |
TO-220 |