Справочник электронных компонентов

Транзистор STB20NM60

STB20NM60 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: D2PAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 192 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 20 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.29 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 39 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор STB20NM60 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IPB60R165CP	SMD	N	192	600	-	-	21	0.165	39	-	-	-	D2PAK
IPI60R165CP	PTH	N	192	600	-	-	21	0.165	39	-	-	-	I2PAK
IPP60R165CP	PTH	N	192	600	-	-	21	0.165	39	-	-	-	TO-220
IPW60R165CP	PTH	N	192	600	-	-	21	0.165	39	-	-	-	TO-247
IXKH20N60C5	PTH	N	208	600	20	3.5	20	0.2	32	340	-	150	TO-247
IXKP20N60C5	PTH	N	208	600	20	3.5	20	0.2	32	340	-	150	TO-220
PS20N600A	PTH	N	266	600	30	4.1	20	0.199	20	32	68	150	TO-220
STB20NM60-1	PTH	N	192	600	30	5	20	0.29	39	20	350	150	I2PAK
STB20NM60D	SMD	N	192	600	30	5	20	0.29	37	-	-	150	D2PAK
STB20NM60T4	SMD	N	192	600	30	5	20	0.29	39	20	350	150	D2PAK
STP20NM60	PTH	N	192	600	30	5	20	0.29	39	-	-	150	TO-220
STW20NM60	PTH	N	214	600	30	5	20	0.29	39	-	-	150	TO-247