Справочник электронных компонентов

Транзистор STB25NM50N-1

STB25NM50N-1 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: I2PAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 160 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 22 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.14 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 84 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 23 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 511 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор STB25NM50N-1 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
STB32NM50N	SMD	N	190	500	25	4	22	0.13	62.5	9.5	179	150	D2PAK
STB40N60M2	SMD	N	250	600	25	4	34	0.088	57	13.5	117	150	D2PAK
STP25NM50N	PTH	N	160	500	25	4	22	0.14	84	23	511	150	TO-220
STP32NM50N	PTH	N	190	500	25	4	22	0.13	62.5	9.5	179	150	TO-220
STP40N60M2	PTH	N	250	600	25	4	34	0.088	57	13.5	117	150	TO-220
STW25NM50N	PTH	N	160	500	25	4	22	0.14	84	23	511	150	TO-247
STW32NM50N	PTH	N	190	500	25	4	22	0.13	62.5	9.5	179	150	TO-247
STW40N60M2	PTH	N	250	600	25	4	34	0.088	57	13.5	117	150	TO-247
STW48N60M2	PTH	N	300	600	25	4	42	0.07	70	17	143	150	TO-247
STW48N60M2-4	PTH	N	300	600	25	4	42	0.07	70	17	143	150	TO-247-4