Справочник электронных компонентов

Транзистор STB7ANM60N

STB7ANM60N - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор STB7ANM60N можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
STB10N60M2 SMD N 85 600 25 4 7.5 0.6 13.5 8 22 150 D2PAK
STD10N60M2 SMD N 85 650 25 4 7.5 0.6 13.5 8 22 150 DPAK
STD11N65M2 SMD N 85 650 25 4 7 0.67 12.5 7.5 20 150 DPAK
STD7ANM60N SMD N 45 600 25 4 5 0.9 14 10 24.6 150 DPAK
STD9HN65M2 SMD N 60 650 25 4 5.5 0.82 11.5 4.6 16 150 DPAK
STD9N60M2 SMD N 60 600 25 4 5.5 0.78 10 7.5 18 150 DPAK
STD9N65M2 SMD N 60 650 25 4 5 0.9 10 6.6 18 150 DPAK
STL10N60M2 SMD N 48 600 25 4 5.5 0.66 13.5 8 22 150 PowerFLAT5X6HV
STL12N65M2 SMD N 48 650 25 4 5 0.75 12.5 7.5 20 150 PowerFLAT5X6HV
STP10N60M2 PTH N 85 600 25 4 7.5 0.6 13.5 8 22 150 TO-220
STP11N65M2 PTH N 85 650 25 4 7 0.67 12.5 7.5 20 150 TO-220
STU10N60M2 PTH N 85 600 25 4 7.5 0.6 13.5 8 22 150 IPAK
STU11N65M2 PTH N 85 650 25 4 7 0.67 12.5 7.5 20 150 IPAK
STU9HN65M2 PTH N 60 650 25 4 5.5 0.82 11.5 4.6 16 150 IPAK
STU9N60M2 PTH N 60 600 25 4 5.5 0.78 10 7.5 18 150 IPAK
STU9N65M2 PTH N 60 650 25 4 5 0.9 10 6.6 18 150 IPAK