Транзистор STD10PF06-1
STD10PF06-1 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 40 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 10 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.2 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 16 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 40 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 230 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор STD10PF06-1 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQB11P06TM |
SMD |
P |
53 |
60 |
25 |
4 |
11.4 |
0.175 |
13 |
40 |
195 |
175 |
D2PAK |
| FQI11P06TU |
PTH |
P |
53 |
60 |
25 |
4 |
11.4 |
0.175 |
13 |
40 |
195 |
175 |
I2PAK |
| STD10PF06T4 |
SMD |
P |
40 |
60 |
20 |
4 |
10 |
0.2 |
16 |
40 |
230 |
175 |
DPAK |