Транзистор STD110N02R
STD110N02R - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 110 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 24 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 110 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0046 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 23.6 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 39 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1105 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор STD110N02R можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STD110N02RT4G |
SMD |
N |
110 |
24 |
20 |
2 |
110 |
0.0046 |
23.6 |
39 |
1105 |
175 |
DPAK |