Транзистор STD110N02RT4G

STD110N02RT4G - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: DPAK

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 110 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 24 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 110 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0046 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 23.6 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 39 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1105 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор STD110N02RT4G можно заменить на: