Транзистор STD3N30LT4
STD3N30LT4 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 300 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.4 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 16 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 800 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор STD3N30LT4 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BUZ45B |
PTH |
N |
125 |
500 |
20 |
0.5 |
10 |
0.49 |
4 |
80 |
250 |
150 |
TO-204AA |
| KP8N60D |
SMD |
N |
73.5 |
600 |
30 |
4 |
8 |
0.58 |
16 |
20 |
550 |
150 |
DPAK |
| SRC4N65D1 |
PTH |
N |
52 |
700 |
30 |
4.49 |
4 |
0.935 |
13.2 |
11.8 |
298 |
150 |
TO-251 |
| SRC4N65DTR |
SMD |
N |
52 |
700 |
30 |
4.49 |
4 |
0.935 |
13.2 |
11.8 |
298 |
150 |
TO-252 |
| SRC4N65TC |
PTH |
N |
78 |
700 |
30 |
4.49 |
4 |
0.935 |
13.2 |
11.8 |
298 |
150 |
TO-220C |
| STB12NM50FDT4 |
SMD |
N |
160 |
500 |
30 |
5 |
12 |
0.4 |
12 |
10 |
390 |
150 |
D2PAK |
| STD3N30L-1 |
PTH |
N |
50 |
300 |
20 |
- |
3 |
1.4 |
16 |
- |
800 |
150 |
IPAK |
| STP12NM50FD |
PTH |
N |
160 |
500 |
30 |
5 |
12 |
0.4 |
12 |
10 |
390 |
150 |
TO-220 |
| STW14NM50FD |
PTH |
N |
160 |
500 |
30 |
5 |
14 |
0.4 |
12 |
10 |
390 |
150 |
TO-247 |