Транзистор STD70NH02LT4
STD70NH02LT4 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 70 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 24 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.8 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 60 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.008 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 17 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 200 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 545 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор STD70NH02LT4 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STB75NH02LT4 |
SMD |
N |
80 |
24 |
20 |
1.8 |
60 |
0.008 |
17 |
200 |
545 |
175 |
D2PAK |
| STD90N02L |
SMD |
N |
70 |
25 |
20 |
1.8 |
60 |
0.006 |
17 |
110 |
545 |
175 |
DPAK |
| STD90N02L-1 |
PTH |
N |
70 |
25 |
20 |
1.8 |
60 |
0.006 |
17 |
110 |
545 |
175 |
IPAK |