Справочник электронных компонентов

Транзистор STI76NF75

STI76NF75 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: I2PAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 75 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 80 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.011 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 117 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 100 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 730 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор STI76NF75 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOB410L	SMD	N	333	100	25	4	150	0.0062	107	22	594	175	TO-263
AOT410L	PTH	N	333	100	25	4	150	0.0065	107	22	594	175	TO-220
AOW410	PTH	N	333	100	25	4	150	0.0065	107	22	594	175	TO-262
PSMN3R3-80BS	SMD	N	306	80	20	4	120	0.0035	104	29	701	175	D2PAK
PSMN4R3-80BS	SMD	N	306	80	20	4	120	0.0043	104	28.6	701	175	D2PAK
PSMN4R4-80BS	SMD	N	306	80	20	4	100	0.0045	112	38.1	700	175	D2PAK
STB75NF75T4	SMD	N	300	75	20	4	80	0.011	117	100	730	175	D2PAK
STB76NF80	SMD	N	300	80	20	4	80	0.011	117	100	730	175	D2PAK
SUM90N08-4M8P	SMD	N	300	75	20	4	90	0.0048	105	17	571	175	TO-263
SUP90N08-4M8P	PTH	N	300	75	20	4	90	0.0048	105	17	571	175	TO-220AB