Транзистор STL3N10F7
STL3N10F7 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PowerFLAT2X2
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.4 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.07 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 7.8 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 3 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 112 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор STL3N10F7 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STL4N10F7 |
SMD |
N |
2.9 |
100 |
20 |
4.5 |
4.5 |
0.07 |
7.8 |
3 |
112 |
150 |
PowerFLAT3.3X3.3 |