Транзистор STP80PF55
STP80PF55 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 55 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 16 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 80 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.018 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 190 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор STP80PF55 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STB80PF55T4 |
SMD |
P |
300 |
55 |
16 |
4 |
80 |
0.018 |
190 |
190 |
1130 |
175 |
D2PAK |
| SUM110P08-11 |
SMD |
P |
375 |
80 |
20 |
4 |
110 |
0.0111 |
185 |
410 |
790 |
175 |
TO-263 |