Транзистор STT03N20
STT03N20 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-223
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.7 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.43 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 12 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 20 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор STT03N20 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| HCD6NC70S |
SMD |
N |
28 |
700 |
20 |
4.5 |
5 |
1.25 |
7 |
20 |
20 |
150 |
DPAK |
| HCD7N70S |
SMD |
N |
28 |
700 |
20 |
4.5 |
6 |
1.1 |
9 |
25 |
20 |
150 |
DPAK |
| HCU6N70S |
PTH |
N |
28 |
700 |
20 |
4.5 |
5 |
1.25 |
7 |
20 |
20 |
150 |
IPAK |
| HCU7NE70S |
PTH |
N |
28 |
700 |
20 |
4.5 |
6 |
1.1 |
9 |
25 |
20 |
150 |
IPAK |
| MMIS70H900QTH |
PTH |
N |
28 |
700 |
30 |
4 |
3.2 |
1.4 |
8 |
19 |
19 |
150 |
TO-251 |
| PCP1402 |
SMD |
N |
3.5 |
250 |
30 |
3.5 |
1.2 |
1.8 |
4.2 |
6.7 |
20 |
150 |
SOT-89 |
| SFT1452 |
SMD и PTH |
N |
26 |
250 |
30 |
4.5 |
3 |
2.4 |
4.2 |
9 |
20 |
150 |
TO-252,TO-251 |
| SS05N70 |
PTH |
N |
28 |
700 |
20 |
3.5 |
3.2 |
1.4 |
10.5 |
5.9 |
18 |
150 |
TO-251 |