Справочник электронных компонентов

Транзистор TK3P50D

TK3P50D - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: DPAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 60 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 3 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 3 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор TK3P50D можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
TK4P50D	SMD	N	80	500	30	4.4	4	2	-	-	-	150	DPAK
TK4P55D	SMD	N	80	550	30	4.4	4	1.88	-	-	-	150	DPAK
TK4P55DA	SMD	N	80	550	30	4.4	3.5	2.45	-	-	-	150	DPAK
TK4P60D	SMD	N	100	600	30	4.4	4	1.7	12	18	70	150	DPAK
TK4P60DA	SMD	N	80	600	30	4.4	3.5	2.2	-	-	-	150	DPAK
TK4P60DB	SMD	N	80	600	30	4.4	3.7	2	-	-	-	150	DPAK
TK4Q60DA	PTH	N	80	600	30	4.4	3.5	2.2	11	18	55	150	PWMOLD2
TK5P50D	SMD	N	80	500	30	4.4	5	1.5	-	-	-	150	DPAK
TK5P53D	SMD	N	80	525	30	4.4	5	1.5	-	-	-	150	DPAK
TK6P53D	SMD	N	100	525	30	4.4	6	1.3	-	-	-	150	DPAK
TK7P50D	SMD	N	100	500	30	4.4	7	1.22	-	-	-	150	DPAK