Справочник электронных компонентов

Транзистор TMD3N80G

TMD3N80G - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: DPAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 94 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 3 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 4.2 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 19 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 36 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 65 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор TMD3N80G можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
TMP3N80	PTH	N	94	800	30	4	3	4.2	19	36	65	150	TO-220
TMU3N80G	PTH	N	94	800	30	4	3	4.2	19	36	65	150	IPAK
TSM3N80CH	PTH	N	94	800	30	4	3	4.2	19	36	65	150	TO-251
TSM3N80CP	SMD	N	94	800	30	4	3	4.2	19	36	65	150	TO-252
TSM3N80CZ	PTH	N	94	800	30	4	3	4.2	19	36	65	150	TO-220