Транзистор TSM3N80CH
TSM3N80CH - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-251
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 94 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 4.2 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 19 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 36 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 65 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор TSM3N80CH можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| TMD3N80G |
SMD |
N |
94 |
800 |
30 |
4 |
3 |
4.2 |
19 |
36 |
65 |
150 |
DPAK |
| TMP3N80 |
PTH |
N |
94 |
800 |
30 |
4 |
3 |
4.2 |
19 |
36 |
65 |
150 |
TO-220 |
| TMU3N80G |
PTH |
N |
94 |
800 |
30 |
4 |
3 |
4.2 |
19 |
36 |
65 |
150 |
IPAK |
| TSM3N80CP |
SMD |
N |
94 |
800 |
30 |
4 |
3 |
4.2 |
19 |
36 |
65 |
150 |
TO-252 |
| TSM3N80CZ |
PTH |
N |
94 |
800 |
30 |
4 |
3 |
4.2 |
19 |
36 |
65 |
150 |
TO-220 |