Транзистор TMD830AZ
TMD830AZ - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 98.4 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 15 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 28 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 78 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор TMD830AZ можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SIHB8N50D |
SMD |
N |
156 |
500 |
30 |
5 |
8.7 |
0.85 |
15 |
16 |
52 |
150 |
TO-263 |
| SIHD5N50D |
SMD |
N |
104 |
500 |
30 |
5 |
5.3 |
1.5 |
10 |
11 |
34 |
150 |
TO-252 |
| SIHU5N50D |
PTH |
N |
104 |
500 |
30 |
5 |
5.3 |
1.5 |
10 |
11 |
34 |
150 |
TO-251 |
| STD7N80K5 |
SMD |
N |
110 |
800 |
30 |
5 |
6 |
1.2 |
13.4 |
8.3 |
30 |
150 |
DPAK |
| STP7N80K5 |
PTH |
N |
110 |
800 |
30 |
5 |
6 |
1.2 |
13.4 |
8.3 |
30 |
150 |
TO-220 |
| STU7N80K5 |
PTH |
N |
110 |
800 |
30 |
5 |
6 |
1.2 |
13.4 |
8.3 |
30 |
150 |
IPAK |
| TMU830AZ |
PTH |
N |
98.4 |
500 |
30 |
5 |
4.5 |
1.5 |
15 |
28 |
78 |
150 |
IPAK |