Транзистор TMD8N50Z
TMD8N50Z - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 120 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.85 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 21 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 33 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 132 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор TMD8N50Z можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SIHB8N50D |
SMD |
N |
156 |
500 |
30 |
5 |
8.7 |
0.85 |
15 |
16 |
52 |
150 |
TO-263 |
| TMU8N50Z |
PTH |
N |
120 |
500 |
30 |
5 |
8 |
0.85 |
21 |
33 |
132 |
150 |
IPAK |