Транзистор TN0200T
TN0200T - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
- SMD-код: N0
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.35 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.73 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 2.8 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 30 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 90 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор TN0200T можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| NVJS4405N |
SMD |
N |
0.63 |
25 |
8 |
1.5 |
1 |
0.35 |
0.75 |
4.7 |
22.4 |
150 |
SOT-363 |
| QS5U12 |
SMD |
N |
0.9 |
30 |
12 |
1.5 |
2 |
0.1 |
2.8 |
10 |
50 |
150 |
TSMT5 |
| QS5U13 |
SMD |
N |
0.9 |
30 |
12 |
1.5 |
2 |
0.1 |
2.8 |
10 |
50 |
150 |
TSMT5 |
| QS5U16 |
SMD |
N |
0.9 |
30 |
12 |
1.5 |
2 |
0.1 |
2.8 |
10 |
50 |
150 |
TSMT5 |
| QS5U17 |
SMD |
N |
0.9 |
30 |
12 |
1.5 |
2 |
0.1 |
2.8 |
10 |
50 |
150 |
TSMT5 |
| RTQ020N03FRA |
SMD |
N |
1.25 |
30 |
12 |
1.5 |
2 |
0.125 |
2.4 |
11 |
35 |
150 |
TSMT6 |
| RTQ020N03TR |
SMD |
N |
1.25 |
30 |
12 |
1.5 |
2 |
0.125 |
2.4 |
11 |
35 |
150 |
TSMT6 |
| RTQ020N05TR |
SMD |
N |
0.6 |
45 |
12 |
1.5 |
2 |
0.19 |
2.3 |
14 |
40 |
150 |
TSMT6 |
| TN0200TS |
SMD |
N |
1 |
20 |
8 |
1.5 |
1.2 |
0.5 |
2.8 |
30 |
90 |
150 |
SOT-23 |