Транзистор TPC6012
TPC6012 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: VS-6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.02 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор TPC6012 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AON2408 |
SMD |
N |
2.8 |
20 |
12 |
1.2 |
8 |
0.0145 |
- |
4.5 |
158 |
150 |
DFN2X2B |
| AP7811GM |
SMD |
N |
2.5 |
25 |
12 |
1.2 |
11.8 |
0.012 |
- |
28 |
460 |
150 |
SO-8 |
| AP9410GM |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
12 |
1.2 |
18 |
0.005 |
59 |
12 |
660 |
150 |
SO-8 |
| AP9410GM-HF |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
12 |
1.2 |
18 |
0.005 |
- |
12 |
660 |
150 |
SO-8 |
| AP9T16AGH |
SMD |
N |
12.5 |
20 |
12 |
1.2 |
19.5 |
0.02 |
- |
50 |
130 |
150 |
TO-252 |
| NCE2012 |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
1.2 |
12 |
0.011 |
42 |
25 |
2000 |
150 |
SOP-8 |
| SSM7811GM |
SMD |
N |
2.5 |
25 |
12 |
1.2 |
11.8 |
0.012 |
32 |
28 |
460 |
150 |
SO-8 |