Транзистор WFN1N60N
WFN1N60N - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-92
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 15 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 6.1 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 45 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 19 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор WFN1N60N можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CS1N60A1H |
PTH |
N |
3 |
600 |
30 |
4 |
0.8 |
15 |
4 |
6.3 |
10.7 |
150 |
TO-92 |
| CS1N60A3H |
PTH |
N |
25 |
600 |
30 |
4 |
0.8 |
15 |
4 |
6.3 |
10.7 |
150 |
TO-251 |
| CS1N60B1R |
PTH |
N |
3 |
600 |
30 |
4 |
0.9 |
8 |
5.2 |
5 |
18 |
150 |
TO-92 |
| CS1N60C3H |
PTH |
N |
30 |
600 |
30 |
4 |
1 |
10.5 |
4.7 |
5 |
14.5 |
150 |
TO-251 |
| CS1N65B1 |
PTH |
N |
3 |
650 |
30 |
4 |
0.9 |
9.5 |
5.3 |
4.5 |
17 |
150 |
TO-92 |
| FQD1N60CTF |
SMD |
N |
28 |
600 |
30 |
4 |
1 |
11.5 |
4.8 |
21 |
19 |
150 |
DPAK |
| FQD1N60CTM |
SMD |
N |
28 |
600 |
30 |
4 |
1 |
11.5 |
4.8 |
21 |
19 |
150 |
DPAK |
| FQU1N60CTU |
PTH |
N |
28 |
600 |
30 |
4 |
1 |
11.5 |
4.8 |
21 |
19 |
150 |
IPAK |
| L1N60A |
PTH |
N |
9 |
600 |
30 |
4 |
1 |
11.5 |
5.2 |
9.9 |
16 |
150 |
TO-92 |
| L1N60I |
PTH |
N |
28 |
600 |
30 |
4 |
1 |
11.5 |
5.2 |
9.9 |
16 |
150 |
TO-251 |
| SSR1N60B |
SMD |
N |
28 |
600 |
30 |
4 |
0.9 |
12 |
5.9 |
45 |
18 |
150 |
DPAK |
| SSR1N60BTM |
SMD |
N |
28 |
600 |
30 |
4 |
0.9 |
12 |
5.9 |
45 |
18 |
150 |
DPAK |
| SSU1N60B |
PTH |
N |
28 |
600 |
30 |
4 |
0.9 |
12 |
5.9 |
45 |
18 |
150 |
IPAK |
| WFU1N60N |
PTH |
N |
30 |
600 |
30 |
4 |
1 |
15 |
6.1 |
15 |
19 |
150 |
TO-251 |