Транзистор ZVP2110GTC
ZVP2110GTC - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-223
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.31 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 8 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 15 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 35 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор ZVP2110GTC можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SQ2325ES |
SMD |
P |
3 |
150 |
20 |
3.5 |
0.84 |
1.77 |
7.4 |
14 |
20 |
175 |
TO-236 |
| ZVP2110GTA |
SMD |
P |
2 |
100 |
20 |
3.5 |
0.31 |
8 |
- |
15 |
35 |
150 |
SOT-223 |