Транзистор ZXMN2A02X8
ZXMN2A02X8 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: MSOP8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.67 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 7.8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.02 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 18.6 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1900 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор ZXMN2A02X8 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CSD17552Q3A |
SMD |
N |
2.6 |
30 |
20 |
1.9 |
15 |
0.006 |
9 |
7.4 |
385 |
150 |
SON3.3X3.3 |
| CSD18503Q5A |
SMD |
N |
3.1 |
40 |
20 |
2.3 |
19 |
0.0043 |
13 |
8.8 |
510 |
150 |
SON5X6 |
| CSD18531Q5A |
SMD |
N |
3.1 |
60 |
20 |
2.3 |
19 |
0.0046 |
18 |
7.8 |
380 |
150 |
SON5X6 |
| IRF7466 |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
3 |
11 |
0.0125 |
16 |
2.8 |
710 |
150 |
SO-8 |
| IRF7466PBF |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
3 |
11 |
0.0125 |
16 |
2.8 |
710 |
150 |
SO-8 |
| IRF7469PBF |
SMD |
N |
2.5 |
40 |
20 |
3 |
9 |
0.017 |
15 |
2.2 |
480 |
150 |
SO-8 |
| IRF7469PBF-1 |
SMD |
N |
2.5 |
40 |
20 |
3 |
9 |
0.017 |
15 |
2.2 |
480 |
150 |
SO-8 |
| IRF7805Z |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
2.25 |
16 |
0.0068 |
18 |
10 |
480 |
150 |
SO-8 |
| IRF7805ZG |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
- |
16 |
0.0068 |
18 |
10 |
480 |
150 |
SO-8 |
| IRF7805ZGPBF |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
2.25 |
16 |
0.0068 |
18 |
10 |
480 |
150 |
SO-8 |
| IRF7805ZPBF |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
2.25 |
16 |
0.0068 |
18 |
10 |
480 |
150 |
SO-8 |
| IRF7805ZPBF-1 |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
2.25 |
16 |
0.0068 |
18 |
10 |
480 |
150 |
SO-8 |