Notice: session_start(): ps_files_cleanup_dir: opendir(/tmp) failed: Permission denied (13) in /home/c/ck59960/public_html/common.php on line 4

Warning: session_start(): Session cache limiter cannot be sent after headers have already been sent (output started at /home/c/ck59960/public_html/common.php:4) in /home/c/ck59960/public_html/common.php on line 4
Транзистор ZXMN6A25N8 полевой MOSFET, его характеристики

Справочник электронных компонентов

Транзистор ZXMN6A25N8

ZXMN6A25N8 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: SO-8

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.8 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 5.7 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.07 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 20.4 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1063 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор ZXMN6A25N8 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AFN4850WS	SMD	N	2.8	60	20	2	8.5	0.02	20	10	300	150	SOP-8P
CSD19534Q5A	SMD	N	3.2	100	20	3.4	10	0.0151	17	14	257	150	SON5X6
CSD19537Q3	SMD	N	2.8	100	20	3.6	9.7	0.0145	16	3	251	150	SON3.3X3.3
IRFH7194	SMD	N	3.6	100	20	3.6	11	0.0164	13	3.3	374	150	PQFN5X6
IRFHM7194	SMD	N	2.8	100	20	3.6	9.3	0.0164	13	3.3	374	150	PQFN3.3X3.3
STL30N10F7	SMD	N	4.8	100	20	4.5	8	0.035	14	14	215	175	PowerFLAT5X6
STL40N10F7	SMD	N	5	100	20	4.5	10	0.024	19	17.5	290	175	PowerFLAT5X6
STL7N10F7	SMD	N	2.9	100	20	4.5	7	0.035	14	14	215	150	PowerFLAT3.3X3.3
ZXMN6A25G	SMD	N	3.9	60	20	1	6.7	0.07	20.4	-	1063	150	SOT-223
ZXMN6A25K	SMD	N	9.85	60	20	3	10.7	0.07	20.4	-	1063	150	TO-252