Справочник электронных компонентов

Транзистор CSB1065R

CSB1065R - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-126

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 10 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 60 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 5 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 3 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 70 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 180
Емкость коллекторного перехода, Cc: 50 пФ
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор CSB1065R можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2SA2039	PTH	PNP	15	80	50	6	5	360	200	24	150	TP
2SA2183	PTH	PNP	20	60	60	7	5	170	200	38	150	TO-220SIS
2SB1143T	PTH	PNP	10	60	50	6	4	150	200	39	175	TO-126
2SB1143U	PTH	PNP	10	60	50	6	4	150	280	39	175	TO-126
2SB1167T	PTH	PNP	20	120	100	6	3	130	200	40	150	TO-126
2SB1202T	PTH	PNP	15	60	50	5	3	150	200	39	150	TO-218
2SB1202U	PTH	PNP	15	60	50	5	3	150	280	39	150	TO-218
2SB1215T	PTH	PNP	20	120	100	6	3	130	200	40	150	TO-218
2SB986T	PTH	PNP	10	60	60	5	4	150	200	39	175	TO-126
2SB986U	PTH	PNP	10	60	60	5	4	150	280	39	175	TO-126
BTA2039J3	SMD	PNP	15	60	50	6	5	150	200	42	150	TO-252
BTB1184J3	SMD	PNP	15	60	50	6	3	80	180	35	150	TO-252
BTB1184J3S	SMD	PNP	15	60	50	6	3	80	270	35	150	TO-252