Справочник электронных компонентов

Транзистор 2SJ215

2SJ215 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Основные характеристики:

Транзистор 2SJ215 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AM90P06-08P PTH P 300 60 20 1 90 0.012 105 40 592 175 TO-220AB
AM90P10-30P PTH P 300 100 20 1 80 0.03 164 65 774 150 TO-220AB
AOB411L SMD P 187 60 20 2.5 78 0.0165 40 20 483 175 TO-263
AP9571GP-HF PTH P 250 60 20 - 105 0.0125 63 54 940 150 TO-220
AP9571GS-HF SMD P 250 60 20 - 105 0.0125 63 54 940 150 TO-263
AP9581GP-HF PTH P 250 80 20 - 95 0.015 72 60 900 150 TO-220
AP9581GS-HF SMD P 250 80 20 - 95 0.015 72 60 900 150 TO-263
FX50SMJ-2 PTH P 150 100 20 2.3 50 0.05 - 118 896 150 TO-3P
IRF5210LPBF PTH P 170 100 20 4 38 0.06 150 63 800 150 TO-262
IRF5210PBF PTH P 200 100 20 4 40 0.06 180 86 790 175 TO-220AB
IRF5210SPBF SMD P 170 100 20 4 38 0.06 150 63 800 150 TO-263
RU1HP55R PTH P 176 100 25 4 55 0.04 155 87 535 175 TO-220
RU1HP60R PTH P 188 100 25 4 60 0.025 164 83 615 175 TO-220
RU60P60R PTH P 176 60 20 4 60 0.03 138 94 510 175 TO-220
SPP80P06P PTH P 340 60 20 4 80 0.023 115 18 1252 175 TO-220-3
SPP80P06PG PTH P 340 60 20 4 80 0.023 115 18 1252 175 TO-220-3
SSF6025 PTH P 166 60 20 - 60 0.025 170 23.7 376 150 TO-220
SUD50P06-15L SMD P 136 60 20 3 50 0.015 110 70 480 175 TO-252
SUD50P08-26 SMD P 136 80 20 4 50 0.026 102 50 320 175 TO-252
UTT70P10 PTH P 225 100 20 - 70 0.03 - 110 700 150 TO-220
UTT80P06 PTH P 313 60 20 - 80 0.021 - 18 1252 150 TO-220