Справочник электронных компонентов

Транзистор AP09T10GH-HF

AP09T10GH-HF - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор AP09T10GH-HF можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AOD2922 SMD N 17 100 20 2.7 7 0.14 - 3 19 175 TO-252
AOD4286 SMD N 30 100 20 2.9 14 0.068 - 2.5 30 175 TO-252
AOD478 SMD N 45 100 20 2.8 11 0.14 - 3 29 175 TO-252
AOI4286 PTH N 30 100 20 2.9 14 0.068 - 2.5 30 175 TO-251A
AOI478 PTH N 45 100 20 2.8 11 0.14 - 3 29 175 TO-251A
AON6486 SMD N 31 100 20 2.8 10 0.14 - 3 27 150 DFN5X6
AP09T10GH SMD N 12.5 100 20 3 4.4 0.3 - 8 30 150 TO-252
AP09T10GP-HF PTH N 12.5 100 20 - 4.4 0.3 - 8 30 150 TO-220
AP10TN135H SMD N 20.8 100 20 3 8.1 0.135 - 8 27 150 TO-252
AP10TN135J PTH N 20.8 100 20 3 8.1 0.135 - 8 27 150 TO-251
AP10TN135JB PTH N 20.8 100 20 3 8.1 0.135 - 8 27 150 TO-251S
AP10TN135P PTH N 20.8 100 20 3 8.1 0.135 - 8 27 150 TO-220
IPA65R225C7 PTH N 29 650 20 4 7 0.225 - 6 14 150 TO-220F
IPB65R225C7 SMD N 63 650 20 4 11 0.225 - 6 14 150 TO-263
IPD65R225C7 SMD N 63 650 20 4 11 0.225 - 6 14 150 TO-252
IPL65R130C7 SMD N 102 650 20 4 15 0.13 - 5.3 26 150 ThinPAK8X8
IPL65R195C7 SMD N 75 650 20 4 12 0.195 - 5 17 150 ThinPAK8X8
IPL65R230C7 SMD N 67 650 20 4 10 0.23 - 5 14 150 ThinPAK8X8
IPP60R180C7 PTH N 68 600 20 4 13 0.18 - 7 18 150 TO-220
IPP65R225C7 PTH N 63 650 20 4 11 0.225 - 6 14 150 TO-220
IPW60R180C7 PTH N 68 600 20 4 13 0.18 - 7 18 150 TO-247
MTBA5N10V8 SMD N 18 100 20 - 7 0.133 - 4.5 30 150 DFN3X3
SM1A25NSU SMD N 29 100 20 - 10 0.162 - 7 30 150 TO-252
SM1A25NSUB PTH N 29 100 20 - 10 0.162 - 7 30 150 TO-251