Транзистор CMPDM8120
CMPDM8120 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.35 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.86 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.142 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 60 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор CMPDM8120 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM3457P |
SMD |
P |
2 |
30 |
20 |
1 |
5 |
0.054 |
4.9 |
11.7 |
38 |
150 |
TSOP-6 |
| FDFME2P823ZT |
SMD |
P |
1.4 |
20 |
8 |
1 |
2.6 |
0.142 |
- |
4.8 |
55 |
150 |
MicroFET1.6X1.6Thin |
| FDFMJ2P023Z |
SMD |
P |
1.4 |
20 |
8 |
1 |
2.9 |
0.112 |
- |
4 |
55 |
150 |
SC-75 |
| LP2301ALT1G |
SMD |
P |
0.7 |
20 |
8 |
1 |
2 |
0.11 |
7.2 |
30 |
46 |
150 |
SOT-23 |
| QM2415K |
SMD |
P |
1 |
20 |
8 |
1 |
2.4 |
0.13 |
5.6 |
25.6 |
48 |
150 |
SOT-23 |
| QM2415SM8 |
SMD |
P |
1.1 |
20 |
8 |
1 |
2.5 |
0.13 |
5.6 |
25.6 |
48 |
150 |
PRPAK3X2 |
| QM2415SN8 |
SMD |
P |
1.1 |
20 |
8 |
1 |
2.5 |
0.13 |
5.6 |
25.6 |
48 |
150 |
DFN3X2 |
| STP1433A |
SMD |
P |
1.25 |
30 |
12 |
1 |
3 |
0.12 |
5.8 |
3.9 |
55 |
150 |
SOT-353 |
| TT8U1 |
SMD |
P |
1.25 |
20 |
10 |
1 |
2.4 |
0.105 |
6.7 |
25 |
60 |
150 |
TSST8 |
| TT8U1TR |
SMD |
P |
1.25 |
20 |
10 |
1 |
2.4 |
0.105 |
6.7 |
25 |
60 |
150 |
TSST8 |
| TT8U2 |
SMD |
P |
1.25 |
20 |
10 |
1 |
2.4 |
0.105 |
6.7 |
25 |
60 |
150 |
TSST8 |