Справочник электронных компонентов

Транзистор FDC653N

FDC653N - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор FDC653N можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AFN3309WS SMD N 2 30 20 2 35 0.008 8 10 210 150 DFN3X3-8L
AFN4048WS SMD N 2.8 30 20 2 15 0.008 15 10 300 150 SOP-8P
AFN4172S SMD N 2.8 30 20 2 15 0.012 10 10 200 150 SOP-8P
AFN4172WS SMD N 2.8 30 20 2 15 0.012 10 10 200 150 SOP-8P
AFN4210 SMD N 2.8 30 20 2 6.8 0.035 4 10 80 150 SOP-8P
AFN4210W SMD N 2.8 30 20 2 6.8 0.032 4 10 80 150 SOP-8P
AFN4412 SMD N 2.8 30 20 2 7.6 0.035 4 10 80 150 SOP-8P
AFN4412W SMD N 2.8 30 20 2 7.6 0.035 4 10 80 150 SOP-8P
AFN7472S SMD N 3.8 30 20 2 15 0.0086 10 10 190 150 DFN3.3X3.3-8L
CSD17522Q5A SMD N 3 30 20 2 16 0.0081 3.6 12 390 150 SON5X6
CSD17579Q5A SMD N 3.1 30 20 2 14 0.0097 5.4 7 95 150 SON5X6
FDT459N SMD N 3 30 20 2 6.5 0.035 17 - - 150 SOT-223
FY8AAJ-03F SMD N 1.7 30 20 2 8 0.028 13.8 15 200 150 SOP-8
NX2020N2 SMD N 1.7 30 20 2 7.2 0.0195 7.2 17 90 150 DFN2020MD-6
PMPB11EN SMD N 1.7 30 20 2 9 0.0145 13.7 10 155 150 DFN2020MD-6
PMPB20EN SMD N 1.7 30 20 2 7.2 0.0195 7.2 17 90 150 DFN2020MD-6
RF4E070BN SMD N 2 30 20 2 7 0.0286 8.9 8 50 150 DFN2020-8S
RF4E080BN SMD N 2 30 20 2 8 0.0176 14.5 10 90 150 DFN2020-8S