Транзистор FQT1N80
FQT1N80 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-223
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 20 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQT1N80 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2SK1867 |
PTH |
N |
15 |
900 |
30 |
- |
2 |
4.85 |
- |
- |
90 |
150 |
MT4 |
| CS1N80 |
SMD |
N |
2.1 |
800 |
30 |
5 |
0.2 |
20 |
- |
- |
- |
150 |
SOT-223 |
| CS1N80_A1H |
PTH |
N |
3 |
800 |
30 |
- |
1 |
15 |
- |
4.6 |
16 |
150 |
TO-92 |
| CS1N80A1H |
PTH |
N |
3 |
800 |
30 |
4 |
0.65 |
15 |
6.7 |
4.6 |
16 |
150 |
TO-92 |
| FQT1N80TF_WS |
SMD |
N |
2.1 |
800 |
30 |
5 |
0.2 |
20 |
5.5 |
25 |
20 |
150 |
SOT-223 |
| PJW1NA80 |
SMD |
N |
3.3 |
800 |
30 |
4.4 |
0.3 |
16 |
6 |
15 |
17 |
150 |
SOT-223 |
| STF2N80K5 |
PTH |
N |
20 |
800 |
30 |
5 |
2 |
4.5 |
9.5 |
12 |
8 |
150 |
TO-220FP |
| STF2N95K5 |
PTH |
N |
20 |
950 |
30 |
5 |
2 |
5 |
10 |
13.5 |
9 |
150 |
TO-220FP |
| STFW1N105K3 |
PTH |
N |
20 |
1050 |
30 |
4.5 |
1.4 |
11 |
13 |
7 |
15 |
150 |
TO-3PF |
| STQ1NK80ZR-AP |
PTH |
N |
3 |
800 |
30 |
4.5 |
0.3 |
16 |
7.7 |
30 |
26 |
150 |
TO-92 |