Справочник электронных компонентов

Транзистор FQU2N90TU_AM002

FQU2N90TU_AM002 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-251

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 900 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.7 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 7.2 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 12 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор FQU2N90TU_AM002 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
FQB2N90TM	SMD	N	85	900	30	5	2.2	7.2	12	35	45	150	D2PAK
FQD2N90	SMD	N	50	900	30	-	1.7	7.2	12	-	-	150	TO-252
FQD2N90TF	SMD	N	50	900	30	5	1.7	7.2	12	35	45	150	DPAK
FQD2N90TM	SMD	N	50	900	30	5	1.7	7.2	12	35	45	150	DPAK
FQI2N90TU	PTH	N	85	900	30	5	2.2	7.2	12	35	45	150	I2PAK
FQP2N90	PTH	N	85	900	30	5	2.2	7.2	12	-	-	150	TO-220
FQU2N90	PTH	N	50	900	30	-	1.7	7.2	12	-	-	150	TO-251
FQU2N90TU	PTH	N	50	900	30	5	1.7	7.2	12	35	45	150	IPAK
TK2P90E	SMD	N	80	900	30	4	2	5.9	12	25	40	150	DPAK