Справочник электронных компонентов

Транзистор FSJ9160R

FSJ9160R - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Основные характеристики:

Транзистор FSJ9160R можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AM90P10-30P PTH P 300 100 20 1 80 0.03 164 65 774 150 TO-220AB
FSJ9160D PTH P 192 100 20 - 44 0.055 - - - 150 TO-254AA
IRHMK597160 PTH P 208 100 20 4 45 0.05 - 140 1574 150 TO-254AA
IRHMS597160 PTH P 208 100 20 4 45 0.05 - - - 150 TO-254AA
IRHNA597160 SMD P 250 100 20 4 47 0.049 170 100 1570 150 SMD2
IXTA52P10P SMD P 300 100 20 4.5 52 0.05 60 120 - 150 TO-263
IXTH50P10 PTH P 300 100 20 5 50 0.055 140 180 - 150 TO-247
IXTH52P10P PTH P 300 100 20 4.5 52 0.05 60 120 - 150 TO-247
IXTH90P10P PTH P 462 100 20 4 90 0.025 120 144 - 175 TO-247
IXTK170P10P PTH P 890 100 20 4 170 0.012 240 176 - 150 TO-264
IXTK90P20P PTH P 890 200 20 4 90 0.044 205 315 - 150 TO-264
IXTN170P10P Модуль P 890 100 20 4 170 0.012 240 176 - 150 ISOTOP
IXTN90P20P Модуль P 890 200 20 4 90 0.044 205 315 - 150 ISOTOP
IXTP52P10P PTH P 300 100 20 4.5 52 0.05 60 120 - 150 TO-220
IXTQ52P10P PTH P 300 100 20 4.5 52 0.05 60 120 - 150 TO-3P
IXTR170P10P PTH P 312 100 20 4 108 0.013 240 176 - 150 ISOPLUS247
IXTR90P20P PTH P 312 200 20 4 53 0.048 205 315 - 150 ISOPLUS247
IXTT50P10 SMD P 300 100 20 5 50 0.055 140 180 - 150 TO-268
IXTT90P10P SMD P 462 100 20 4 90 0.025 120 144 - 150 TO-268
IXTX170P10P PTH P 890 100 20 4 170 0.012 240 176 - 150 PLUS247
IXTX90P20P PTH P 890 200 20 4 90 0.044 205 315 - 150 PLUS247
SUM90P10-19 SMD P 375 100 20 4.5 90 0.019 218 720 700 175 TO-263
SUM90P10-19L SMD P 375 100 20 3 90 0.019 217 510 700 175 TO-263
UTT50P10 PTH P 225 100 20 - 50 0.019 - 510 700 150 TO-220
UTT70P10 PTH P 225 100 20 - 70 0.03 - 110 700 150 TO-220