Справочник электронных компонентов

Транзистор H5N2515P

H5N2515P - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-3P

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 200 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 250 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 55 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.039 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 92 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор H5N2515P можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IPB200N25N3G	SMD	N	300	250	-	-	64	0.02	64	-	-	-	D2PAK
IPI200N25N3G	PTH	N	300	250	-	-	64	0.02	64	-	-	-	I2PAK
IPP200N25N3G	PTH	N	300	250	-	-	64	0.02	64	-	-	-	TO-220
IXTA76N25T	SMD	N	460	250	30	5	76	0.039	92	148	-	150	TO-263
IXTH76N25T	PTH	N	460	250	30	5	76	0.039	92	148	-	150	TO-247
IXTI76N25T	PTH	N	460	250	30	5	76	0.039	92	25	480	150	TO-262
IXTK62N25	PTH	N	390	250	20	4	62	0.035	67	-	-	150	TO-264
IXTP76N25T	PTH	N	460	250	30	5	76	0.039	92	148	-	150	TO-220
IXTQ76N25T	PTH	N	460	250	30	5	76	0.039	92	148	-	150	TO-3P