Транзистор HFR1N60
HFR1N60 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-92
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 11.5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 21 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 19 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор HFR1N60 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP60WN4K9K |
SMD |
N |
2.78 |
600 |
30 |
4 |
2 |
4.9 |
- |
10 |
19 |
150 |
SOT-223 |
| APQ0DSN60AJ |
PTH |
N |
3.5 |
600 |
30 |
4 |
0.4 |
8.9 |
- |
15 |
12 |
150 |
TO-92 |
| CS1N60_B1R |
PTH |
N |
3 |
600 |
30 |
- |
1.5 |
8 |
- |
5 |
18 |
150 |
TO-92 |
| CS1N60B1R |
PTH |
N |
3 |
600 |
30 |
4 |
0.9 |
8 |
5.2 |
5 |
18 |
150 |
TO-92 |
| CS1N65_B1 |
PTH |
N |
3 |
650 |
30 |
- |
1.5 |
9.5 |
- |
4.5 |
17 |
150 |
TO-92 |
| CS1N65B1 |
PTH |
N |
3 |
650 |
30 |
4 |
0.9 |
9.5 |
5.3 |
4.5 |
17 |
150 |
TO-92 |
| L1N60A |
PTH |
N |
9 |
600 |
30 |
4 |
1 |
11.5 |
5.2 |
9.9 |
16 |
150 |
TO-92 |
| MTN1N60A3 |
PTH |
N |
5 |
600 |
30 |
- |
1 |
8 |
- |
14 |
5 |
150 |
TO-92 |
| STQ1HN60K3-AP |
PTH |
N |
3 |
600 |
30 |
4.5 |
0.4 |
8 |
9.5 |
10 |
13 |
150 |
TO-92 |
| TSM1NB60CW |
SMD |
N |
2.1 |
600 |
30 |
4.5 |
1 |
10 |
6.1 |
6.8 |
17.1 |
150 |
SOT-223 |
| TSM1NB60SCT |
PTH |
N |
2.5 |
600 |
30 |
4.5 |
0.5 |
10 |
6.1 |
6.8 |
17.1 |
150 |
TO-92 |