Справочник электронных компонентов

Транзистор IPB26CN10NG

IPB26CN10NG - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор IPB26CN10NG можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
BSC152N10NSFG SMD N 114 100 - - 63 0.0152 22 - - - SuperSOT-8
BSC190N15NS3G SMD N 125 150 - - 50 0.019 23 - - - SuperSOT-8
CSD19534KCS PTH N 118 100 20 3.4 54 0.0165 17.1 2 257 175 TO-220
FDD86250 SMD N 132 150 20 4 50 0.022 23 - - 150 TO-252
FDP150N10A_F102 PTH N 91 100 20 - 36 0.015 16.2 - - 175 TO-220
IPB200N15N3G SMD N 150 150 - - 50 0.02 23 - - - D2PAK
IPD180N10N3G SMD N 71 100 - - 43 0.018 19 - - - DPAK
IPD200N15N3G SMD N 150 150 - - 50 0.02 23 - - - DPAK
IPD25CN10NG SMD N 71 100 - - 35 0.025 23 - - - DPAK
IPI180N10N3G PTH N 71 100 - - 43 0.018 19 - - - I2PAK
IPI200N15N3G PTH N 150 150 - - 50 0.02 23 - - - I2PAK
IPI26CN10NG PTH N 71 100 - - 35 0.026 23 - - - I2PAK
IPP180N10N3G PTH N 71 100 - - 43 0.018 19 - - - TO-220
IPP200N15N3G PTH N 150 150 - - 50 0.02 23 - - - TO-220
IPP26CN10NG PTH N 71 100 - - 35 0.026 23 - - - TO-220
SQJ488EP SMD N 83 100 20 2.5 42 0.021 18 11 372 175 PowerPAKSO-8L