Справочник электронных компонентов

Транзистор IPI030N10N3G

IPI030N10N3G - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: I2PAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 100 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.003 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 155 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор IPI030N10N3G можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
CSD19536KCS	PTH	N	375	100	20	3.2	150	0.0027	118	14	1820	175	TO-220
CSD19536KTT	SMD	N	375	100	20	3.2	200	0.0024	118	8	1820	175	D2PAK
IPB025N10N3G	SMD	N	300	100	-	-	180	0.0025	155	-	-	-	D2PAK
IPB027N10N3G	SMD	N	300	100	-	-	120	0.0027	155	-	-	-	D2PAK
IPP030N10N3G	PTH	N	300	100	-	-	100	0.003	155	-	-	-	TO-220
IPT020N10N3	SMD	N	375	100	20	3.5	300	0.002	156	58	2010	175	HSOF-8
TK160F10N1	SMD	N	375	100	20	4	160	0.0024	121	22	3960	175	TO-220SM