Справочник электронных компонентов

Транзистор IPP028N08N3G

IPP028N08N3G - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор IPP028N08N3G можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
CSD19506KCS PTH N 375 80 20 3.2 150 0.0023 120 11 2260 175 TO-220
CSD19536KCS PTH N 375 100 20 3.2 150 0.0027 118 14 1820 175 TO-220
CSD19536KTT SMD N 375 100 20 3.2 200 0.0024 118 8 1820 175 D2PAK
FDB86363_F085 SMD N 300 80 20 - 110 0.0028 150 - - 175 TO-263
FDP86363_F085 PTH N 300 80 20 - 110 0.0028 131 - - 175 TO-220
IPB019N08N3G SMD N 300 80 - - 180 0.0019 155 - - - D2PAK
IPB020N08N5 SMD N 300 80 20 3.8 120 0.002 133 16 1500 175 TO-263
IPB025N08N3G SMD N 300 80 - - 120 0.0025 155 - - - D2PAK
IPB025N10N3G SMD N 300 100 - - 180 0.0025 155 - - - D2PAK
IPB027N10N3G SMD N 300 100 - - 120 0.0027 155 - - - D2PAK
IPP023N08N5 PTH N 300 80 20 3.8 120 0.0023 133 16 1500 175 TO-220
IPT020N10N3 SMD N 375 100 20 3.5 300 0.002 156 58 2010 175 HSOF-8
TK160F10N1 SMD N 375 100 20 4 160 0.0024 121 22 3960 175 TO-220SM